Компания LG представила свой новый флагман
Компания LG представила одну из самых ожидаемых новинок этого лета – свой новый флагман смартфон под названием LG G2. Новшеством, отличающим LG G2 от других смартфонов, является размещение кнопок на обратной стороне корпуса. По словам производителя, LG G2 — первый смартфон без кнопок на боковых гранях. Основой устройства служит однокристальная система Qualcomm Snapdragon 800. Ее четырехъядерный процессор Krait работает на частоте 2,26 ГГц под управлением ОС Android 4.2.2 Jelly Bean. 
Объем оперативной памяти LPDDR3-800 равен 2 ГБ, объем флэш-памяти составляет 16 или 32 ГБ, в зависимости от модификации устройства.
Смартфон оснащен экраном типа IPS размером 5,2 дюйма и разрешением Full HD. Эти параметры соответствуют плотности 423 пикселей на дюйм. Ширина боковых рамок составляет 2,65 мм.
Основная камера LG G2 имеет оптический стабилизатор. Ее разрешение равно 13 Мп. Разрешение вспомогательной камеры равно 2,1 Мп. Емкость аккумулятора составляет – 3000 мАч. LG G2 — первый смартфон, способный воспроизводить звук в формате 24 бита/192 кГц. Габариты устройства — 138,5 x 70,9 x 8,9 мм. Предусмотрен выпуск черного и белого вариантов аппарата. В ближайшие два месяца продажи LG G2 должны начаться по всему миру. Цена примерно 600 евро.
QUMO представила смартофн с 4-ядерным процессором
Компания QUMO объявила о выпуске своей первой модели смартфона на процессоре Qualcomm – QUMO QUEST 454, в котором установлена 1,2 ГГц четырехъядерный Qualcomm 8225Q.
Новинка оснащается 4,5 дюймовым IPS дисплеем разрешением 540×960 с защитным покрытием OGS (one glass solution), двумя камерами (8 МП и 2 МП), 1 Гб ОЗУ, 4 Гб встроенной. У новинка предустановленны приложения Яндекс.Shell с поиском и другими сервисами Яндекса, IVI.Ru, а также навигацией Navitel и сервисом по онлайн продаже авиабилетов Aviasales.
Данный новинка смартфон представлен в двух цветах: черный и белый. Прочие технические характеристики QUMO QUEST 454:
- Поддержка стандартов связи: 3G; GSM
- Размеры: 135х68х9,9 мм
- Процессор: четырехъядерный, 1,2 ГГц, Qualcomm 8225Q
- Платформа: Android 4.1 Jely Bean
- Память: 1 Гб ОЗУ, 4 Гб встроенной, слот под microSD карты памяти (до 32 Гб)
- Дисплей: 4,5-дюймовый, IPS, разрешением qHD
- Основная камера: 8 МП, фронтальная камера: 2 МПсо светодиодной подсветкой
- Коммуникации: Wi-Fi, Bluetooth, USB, GPS, 3.5 мм аудио разъем
- Аккумулятор: 2000 мА/ч
Предполагаемая розничная цена смартфона – 8 590 рублей.
Выпуск первой в мире трехмерной NAND-памяти
Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в индустрии NAND флэш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка техники позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных приложений, в том числе встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях (SSD).
Первый чип Samsung V-NAND объёмом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую большую надёжность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость чипов флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями.В течение последних 40 лет флэш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства с топологическим размером 10-нм масштаба возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку интерференция между соседними ячейками приводила к снижению надежности NAND-памяти.
Новинка V-NAND решает эти технические проблемы, выходя на новый уровень разработки и производства чипов NAND-памяти благодаря инновациям в структуре, схемотехнике и производственном процессе.
Благодаря трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции удалось значительно повысить надежность и скорость памяти. Новинка техники 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности от 2 до 10 раз, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10-нм класса.